在科技日新月異的今天，半導(dǎo)體技術(shù)的每一次進(jìn)步都深刻影響著全球電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。2025年3月5日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布了一項(xiàng)具有里程碑意義的成就——成功發(fā)布全球首顆第四代半導(dǎo)體氧化鎵8英寸單晶。這一突破不僅標(biāo)志著鎵仁半導(dǎo)體在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先，也為中國乃至全球的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入了新的活力。與此同時(shí)，在瞬態(tài)抑制二極管領(lǐng)域的產(chǎn)品——SMAJ12CA，同樣以其卓越的性能，展現(xiàn)了公司在電子元器件領(lǐng)域的深厚實(shí)力。

薩科微Slkor瞬態(tài)抑制二極管SMAJ12CA產(chǎn)品圖

鎵仁半導(dǎo)體發(fā)布的8英寸氧化鎵單晶，是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的一次重大革新。氧化鎵作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其優(yōu)異的電學(xué)性能和熱穩(wěn)定性，在高壓、高頻、高功率電子器件中具有廣泛的應(yīng)用前景。然而，氧化鎵單晶的生長(zhǎng)技術(shù)一直是制約其大規(guī)模應(yīng)用的瓶頸。鎵仁半導(dǎo)體通過完全自主創(chuàng)新的鑄造法，成功突破了這一技術(shù)難關(guān)，實(shí)現(xiàn)了8英寸氧化鎵單晶的生長(zhǎng)，并能夠加工出相應(yīng)尺寸的晶圓襯底。這一成就不僅刷新了氧化鎵單晶尺寸的全球紀(jì)錄，也標(biāo)志著中國氧化鎵材料技術(shù)率先進(jìn)入了8英寸時(shí)代。

薩科微Slkor瞬態(tài)抑制二極管SMAJ12CA規(guī)格書

在瞬態(tài)抑制二極管領(lǐng)域，薩科微半導(dǎo)體的SMAJ12CA同樣表現(xiàn)出色。SMAJ12CA是一款雙向瞬態(tài)抑制二極管，具有12V的反向截止電壓（Vrwm），能夠在正常工作電壓下保持低漏導(dǎo)狀態(tài)，確保電路的穩(wěn)定性。同時(shí)，其擊穿電壓范圍在13.3V至14.7V之間，為電路提供了可靠的保護(hù)。在遭遇瞬態(tài)過電壓沖擊時(shí)，SMAJ12CA能夠迅速導(dǎo)通，將過電壓鉗制在安全的水平，[敏感詞]鉗位電壓僅為19.9V，有效保護(hù)了后續(xù)電路不受損害。此外，SMAJ12CA還具有5uA的低反向漏電流和20.1A的峰值脈沖電流承受能力（在10/1000μs波形下），使其在各種惡劣環(huán)境下都能保持穩(wěn)定的性能。

薩科微Slkor瞬態(tài)抑制二極管SMAJ12CA相關(guān)參數(shù)

8英寸氧化鎵單晶的成功研制，對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說具有深遠(yuǎn)的產(chǎn)業(yè)意義。首先，它極大地提升了氧化鎵材料的可用面積，降低了生產(chǎn)成本，為氧化鎵基電子器件的大規(guī)模生產(chǎn)提供了可能。其次，8英寸晶圓襯底的推出，將促進(jìn)氧化鎵基功率器件、高頻器件等高性能電子產(chǎn)品的快速發(fā)展，為5G通信、新能源汽車、智能電網(wǎng)等新興領(lǐng)域提供強(qiáng)有力的技術(shù)支撐。此外，這一突破還將帶動(dòng)上下游產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展，形成新的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)點(diǎn)，推動(dòng)中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的整體升級(jí)。

SMAJ12CA的優(yōu)異性能，使其在電子設(shè)備的過壓保護(hù)中發(fā)揮著重要作用。無論是通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，還是工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備、汽車電子等領(lǐng)域，SMAJ12CA都能提供可靠的瞬態(tài)過電壓保護(hù)，確保設(shè)備的正常運(yùn)行和數(shù)據(jù)的安全。隨著5G通信、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車等新興技術(shù)的快速發(fā)展，SMAJ12CA等高性能瞬態(tài)抑制二極管的需求將持續(xù)增長(zhǎng)，為鎵仁半導(dǎo)體帶來廣闊的市場(chǎng)前景。

綜上所述，鎵仁半導(dǎo)體在半導(dǎo)體材料和電子元器件領(lǐng)域的雙重突破，不僅展示了公司在技術(shù)創(chuàng)新方面的強(qiáng)大實(shí)力，也為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。未來，隨著8英寸氧化鎵單晶的廣泛應(yīng)用和薩科微半導(dǎo)體產(chǎn)品SMAJ12CA等高性能電子元器件的普及，將一同繼續(xù)引領(lǐng)半導(dǎo)體技術(shù)的革新，為推動(dòng)全球電子產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步做出更大的貢獻(xiàn)。

薩科微slkor瞬態(tài)抑制二極管（TVS）

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