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兩個(gè)IGBT模塊并聯(lián)比一個(gè)IGBT有什么優(yōu)勢?

發(fā)布時(shí)間:2022-03-17作者來源:薩科微瀏覽:3509

兩個(gè) IGBT模塊并聯(lián)比一個(gè) IGBT有什么優(yōu)勢?

??并聯(lián)使用IGBT有以下幾個(gè)原因:
IGBT
??[敏感詞]:需求降低成本。以兩點(diǎn)平為例,直接購買賽米控等廠商的成品模塊固然可提高產(chǎn)品穩(wěn)定性,但相應(yīng)的成本增加超出了普通公司的承受能力。使用多模塊并聯(lián)可以明顯降低成本。一般電流越大,IGBT價(jià)格越高,可供選擇的供應(yīng)商越少,價(jià)格居高不下。相反,低電流IGBT的廠家很多,量產(chǎn)時(shí)間長,價(jià)格低。

??第二:避免[敏感詞]供應(yīng)商或增加采購渠道。

??第三:與IGBT匹配的:驅(qū)動(dòng)器可能不支持大功率穩(wěn)定運(yùn)行,或者開發(fā)者習(xí)慣使用成熟的產(chǎn)品。成熟的驅(qū)動(dòng)和IGBT廠商將提供更多的技術(shù)支持。

??第四: 并聯(lián)技術(shù)已經(jīng)成為發(fā)展趨勢。使用并聯(lián)技術(shù)(不僅僅是IGBT)可以讓產(chǎn)品更小,功率密度更高,開發(fā)過程中容易產(chǎn)生更多的專利技術(shù)。

??第五:發(fā)展2mw以上的單機(jī)逆變器根本找不到這么大的IGBT,只能選擇并聯(lián)技術(shù)。最后,作為并聯(lián)的技術(shù)開發(fā)者成就感很強(qiáng)因?yàn)椴⒙?lián)技術(shù)存在一些問題,比如動(dòng)靜態(tài)均流、輻射干擾等。每次一個(gè)問題解決了,人事上的成績都是非??捎^的??偟膩碚f,主要原因是并聯(lián)的成本降低和高用電量。

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