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2023年SiC&GaN行業(yè)榜單公布,這些企業(yè)獲獎(jiǎng)

發(fā)布時(shí)間:2023-12-15作者來源:薩科微瀏覽:1845

12月14日晚,“2023行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮在深圳隆重舉行。數(shù)百家SiC&GaN企業(yè)代表齊聚一堂,共同見證第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)采。經(jīng)過數(shù)月時(shí)間的緊密籌劃,專家組委會(huì)和眾多行業(yè)人士投票評(píng)選,2023行家極光獎(jiǎng)各大榜單正式出爐。本屆行家極光獎(jiǎng)特別設(shè)立了【年度企業(yè)】、【年度優(yōu)秀產(chǎn)品】、【十強(qiáng)榜單】三大獎(jiǎng)項(xiàng),旨在為第三代半導(dǎo)體行業(yè)樹立標(biāo)桿,提升企業(yè)品牌認(rèn)知度和影響力,為行業(yè)發(fā)展注入創(chuàng)新力與推動(dòng)力。
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以下是2023行家極光獎(jiǎng)具體獲獎(jiǎng)名單:
01
年度企業(yè)

// 獎(jiǎng)項(xiàng)說明 
該獎(jiǎng)項(xiàng)主要授予在碳化硅和氮化領(lǐng)域擁有一定聲望,取得重要成績(jī),技術(shù)水平達(dá)到行業(yè)以至國(guó)內(nèi)外先進(jìn)水平,在推動(dòng)行業(yè)發(fā)展、技術(shù)創(chuàng)新和市場(chǎng)推廣等方面做出優(yōu)異成績(jī)或起到引領(lǐng)作用的企業(yè)。



第三代半導(dǎo)體年度國(guó)際領(lǐng)軍企業(yè)



獲得本年度“第三代半導(dǎo)體年度國(guó)際領(lǐng)軍企業(yè)”獎(jiǎng)項(xiàng)的企業(yè)是產(chǎn)業(yè)的“領(lǐng)航者”。根據(jù)《2023年碳化硅產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》這4家企業(yè)今年在汽車領(lǐng)域公開簽約的訂單金額超過了500億人民幣,并且與光儲(chǔ)充TOP20企業(yè)達(dá)成了戰(zhàn)略合作。優(yōu)秀的企業(yè)滿足需求,卓越的企業(yè)引領(lǐng)客戶需求。這些企業(yè)通過碳化硅技術(shù)改變了汽車技術(shù)發(fā)展方向,讓碳化硅技術(shù)遍布光儲(chǔ)充等廣泛場(chǎng)景,提升了下游客戶的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,也加速推動(dòng)了碳化硅行業(yè)的普及化和繁榮之路。
獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)的企業(yè)有:英飛凌、意法半導(dǎo)體、羅姆、安森美。
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第三代半導(dǎo)體年度中國(guó)領(lǐng)軍企業(yè)




獲得本年度“第三代半導(dǎo)體年度中國(guó)領(lǐng)軍企業(yè)”獎(jiǎng)項(xiàng)的企業(yè),從技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)制造和市場(chǎng)開拓等方面都表現(xiàn)出領(lǐng)先的意識(shí)和行動(dòng)力,是中國(guó)企業(yè)在第三代半導(dǎo)體這條賽道上實(shí)現(xiàn)"追趕、并跑、領(lǐng)跑”的典范,他們夜以繼日磨聽著自己的"劍與盾”,實(shí)現(xiàn)了氮化核和碳化磚核心技術(shù)的國(guó)產(chǎn)化,率先摳響了國(guó)產(chǎn)芯片“上車”的突破性一槍,堅(jiān)定了國(guó)產(chǎn)芯片進(jìn)軍高端市場(chǎng)的信心,他們的努力也在推動(dòng)了國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)進(jìn)入發(fā)展快車道。
獲得獎(jiǎng)項(xiàng)的企業(yè)有:三安半導(dǎo)體、英諾賽科、國(guó)基南方、芯聯(lián)集成。
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第三代半導(dǎo)體年度新銳企業(yè)



獲得本年度“第三代半導(dǎo)體年度新銳企業(yè)”獎(jiǎng)項(xiàng),主要表彰本年度第三代半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中發(fā)展?jié)摿︼@現(xiàn),也為第三代半導(dǎo)體發(fā)展注入新動(dòng)力的企業(yè),是今年名副其實(shí)的年度新銳企業(yè)代表。這4家企業(yè)有著深厚的技術(shù)積累與沉淀,在碳化硅領(lǐng)域奮相爭(zhēng)先,其技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)品開發(fā)產(chǎn)能建設(shè)等方面獲得市場(chǎng)的高度認(rèn)可,作為行業(yè)“新秀”,他們已跑出加速度,正在向行業(yè)[敏感詞]梯隊(duì)目標(biāo)邁進(jìn)。
獲得獎(jiǎng)項(xiàng)的企業(yè)有:芯動(dòng)半導(dǎo)體、中科漢韻、集芯先進(jìn)、天成半導(dǎo)體。
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第三代半導(dǎo)體年度設(shè)備/材料企業(yè)



“第三代半導(dǎo)體年度設(shè)備企業(yè)”是我國(guó)SiC&GaN生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)的關(guān)鍵玩家,為半導(dǎo)體基礎(chǔ)產(chǎn)品提供專業(yè)可靠的精密設(shè)備和解決方案。通過長(zhǎng)年累月的技術(shù)積累和應(yīng)用檢驗(yàn),這批企業(yè)成為“硬核”的代名詞,成為我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試環(huán)節(jié)強(qiáng)有力的保障,同時(shí)在產(chǎn)業(yè)源頭上實(shí)現(xiàn)自有技術(shù)供給,為半導(dǎo)體企業(yè)孵化、培育和發(fā)展提供良好環(huán)境。
“第三代半導(dǎo)體年度材料企業(yè)”處于我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的起點(diǎn),致力于為芯片生產(chǎn)制造廠商提供優(yōu)質(zhì)的原材料及其高端制品。我國(guó)芯片行業(yè)要加快自研自產(chǎn)的進(jìn)程,離不開原材料企業(yè)的全力支持,守住原材料自供率底線和質(zhì)量,才能不斷追趕行業(yè)前沿和領(lǐng)先突破。
獲得獎(jiǎng)項(xiàng)的企業(yè)有:北方華創(chuàng)、愛發(fā)科、中國(guó)電科48所、華卓精科、納設(shè)智能、中電科風(fēng)華、特思迪、先創(chuàng)、京航特碳、誠(chéng)聯(lián)愷達(dá)、聯(lián)合精密、弘信新材。
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02
十強(qiáng)榜單

// 獎(jiǎng)項(xiàng)說明 
該獎(jiǎng)項(xiàng)主要表彰本年度碳化硅/氮化家供應(yīng)鏈中快速崛起的優(yōu)秀企業(yè),他們實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體材料、器件、模塊和裝備等環(huán)節(jié)技術(shù)的突圍,并且在全球化道路上邁出堅(jiān)實(shí)的步伐,提升中國(guó)第三代半導(dǎo)體的全球影響力。
獲得本年度[十強(qiáng)榜單]獎(jiǎng)項(xiàng)的企業(yè)在品牌影響力、市場(chǎng)占有率、創(chuàng)新能力和未來的發(fā)展?jié)摿Φ染C合實(shí)力較為突出。



中國(guó)SiC襯底十強(qiáng)



獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)的企業(yè)有天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、爍科晶體、同光股份、東尼電子、晶瑞電子、南砂晶圓、科友半導(dǎo)體、合盛硅業(yè)、世紀(jì)金芯。
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中國(guó)第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)



獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)的企業(yè)有:瀚天天成、天域半導(dǎo)體、普興電子、中電化合物、百識(shí)電子、晶湛半導(dǎo)體、??瓢雽?dǎo)體、中科匯珠、宇騰電子、芯生代。
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中國(guó)GaN器件十強(qiáng)



獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)的企業(yè)有:英諾賽科、能華半導(dǎo)體、安世半導(dǎo)體、鎵未來、潤(rùn)新微電子、聚能創(chuàng)芯、京東方華燦光電、致能、氮矽科技、芯微
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中國(guó)SiC器件設(shè)計(jì)十強(qiáng)



獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)的企業(yè)有飛锃半導(dǎo)體、愛仕特、瀚薪科技、派恩杰、安海半導(dǎo)體、芯塔電子、芯干線、清純半導(dǎo)體、瑞能半導(dǎo)體、森國(guó)科。
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中國(guó)SiC器件IDM十強(qiáng)



獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)的企業(yè)有三安半導(dǎo)體、國(guó)基南方、基本半導(dǎo)體、中電科13所、泰科天潤(rùn)、瞻芯電子、士蘭微、中車時(shí)代半導(dǎo)體、長(zhǎng)飛先進(jìn)、方正微。
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中國(guó)SiC模塊十強(qiáng)




獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)的企業(yè)有:比亞迪半導(dǎo)體、芯聚能、基本半導(dǎo)體、斯達(dá)半導(dǎo)體、利普思半導(dǎo)體、致瞻、南瑞半導(dǎo)體、芯聯(lián)動(dòng)力科技、國(guó)揚(yáng)電子、長(zhǎng)聯(lián)半導(dǎo)體。
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03
年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)

// 獎(jiǎng)項(xiàng)說明 
該獎(jiǎng)項(xiàng)分類[影響力產(chǎn)品榜單]和[優(yōu)秀產(chǎn)品榜單]主要授予碳化硅和氮化領(lǐng)域中,襯底、外延、器件、模組、設(shè)備、材料等環(huán)節(jié)具備影響力或表現(xiàn)優(yōu)秀的產(chǎn)品,這些產(chǎn)品在相關(guān)領(lǐng)域具備一定知名度,并受到廣泛認(rèn)可,解決了行業(yè)中的痛點(diǎn)問題,技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)外先進(jìn)水平
本年度獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)的產(chǎn)品在技術(shù)創(chuàng)新、性能提升、成本優(yōu)化、助力量產(chǎn)、效率提升等方面表現(xiàn)優(yōu)秀。




年度[敏感詞]影響力產(chǎn)品




“年度[敏感詞]影響力產(chǎn)品”聚焦SiC&GaN芯片生產(chǎn)制造及實(shí)際應(yīng)用的[敏感詞]成果,是眾多科研成果的結(jié)晶,在提質(zhì)增效、技術(shù)鏈接、產(chǎn)業(yè)振興等方面具有重要意義,同時(shí)也指引出半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來發(fā)展趨勢(shì)。
SiC襯底年度[敏感詞]影響力產(chǎn)品獲獎(jiǎng)產(chǎn)品有:
  • 爍科晶體:8英寸導(dǎo)電N型襯底
  • 普興電子:6英寸車用大電流MOSFET碳化硅外延片
  • 中電化合物:8英寸SiC外延片
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    SiC器件年度[敏感詞]影響力產(chǎn)品獲獎(jiǎng)產(chǎn)品有:

  • 意法半導(dǎo)體:第三代碳化硅系列產(chǎn)品
  • 瞻芯電子:第二代碳化硅(SiC)MOSFET
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    SiC模塊年度[敏感詞]影響力產(chǎn)品獲獎(jiǎng)產(chǎn)品有:

  • 英飛凌:62mm CoolSiC? MOSFET 2000V M1H碳化硅模塊
  • 芯聚能半導(dǎo)體:第二代車規(guī)級(jí)碳化硅三相全橋主驅(qū)模塊
  • 三菱電機(jī):3.3kV集成SBDSiC MOSFET模塊(FMF800DC-66BEW
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GaN器件年度[敏感詞]影響力產(chǎn)品獲獎(jiǎng)產(chǎn)品有:
  • 英諾賽科的低壓氮化鎵芯片 INN80LA01;
  • 羅姆半導(dǎo)體的650V耐壓GaN HEMT。
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第三代半導(dǎo)體材料/設(shè)備方面,獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)的有:北方華創(chuàng)的高密度等離子體SiC刻蝕機(jī)/GDE C200高密度等離子體刻蝕機(jī);大族半導(dǎo)體的SiC晶錠激光切片設(shè)備.
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年度優(yōu)秀產(chǎn)品


“年度優(yōu)秀產(chǎn)品”聚焦國(guó)內(nèi)SiC&GaN企業(yè)的多項(xiàng)研發(fā)成果,涉及產(chǎn)業(yè)鏈上下游各個(gè)領(lǐng)域,是我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要基礎(chǔ)。此外,它們代表了我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的統(tǒng)籌布局和規(guī)劃發(fā)展,是由點(diǎn)到線、由線到面、由面到體的有力見證。
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獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)的產(chǎn)品有(排名不分先后)
  • 崇誠(chéng)國(guó)際氮化鎵元件動(dòng)態(tài)參數(shù)分析儀
  • 天科合達(dá)8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底
  • 三安半導(dǎo)體碳化硅MOSFET
  • 百識(shí)電子第三代半導(dǎo)體 12000V碳化硅MOS級(jí)外延片
  • 瑞能第二代高功率密度1200V MOSFET產(chǎn)品系列
  • 量芯微高度集成 GaN IC IPM模塊
  • 基本半導(dǎo)體新一代高性能、高可靠性的碳化硅MOSFET芯片B2M040120Z
  • 京東方華燦光電1200V氮化鎵水平式和垂直式功率器件
  • 納微半導(dǎo)體GeneSiC3.3kV SiC MOSFETs
  • 北京中電科WG-1261全自動(dòng)減薄機(jī)
  • 三安半導(dǎo)體:碳化硅襯底
  • 聯(lián)訊儀器:WAT6600并行半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
  • 才道精密儀器:原子力顯微鏡
  • 飛锃半導(dǎo)體:車規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET
  • 泰克科技:5系列B MSO混合信號(hào)示波器
  • 清純半導(dǎo)體:SiC MOSFET 1200V/7mR S1M007120H
  • 智程半導(dǎo)體:?jiǎn)纹∑逑礄C(jī)
  • 蓉矽半導(dǎo)體:NC1M120C40HT
  • 昕感科技:車規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET器件
  • 潤(rùn)新微電子:900V D-mode GaN器件
  • 快克芯裝備:微納金屬燒結(jié)設(shè)備
  • 明銳理想:明銳半導(dǎo)體鍵合自動(dòng)光學(xué)檢查機(jī)-SW5000
  • 國(guó)順硅源:高純甲基三氯硅烷(MTS)
  • 致能科技:ZN120C1R070W
  • 優(yōu)晶科技:電阻法大尺寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備
  • QORVO:750V 第四代SiC FET
  • 安世半導(dǎo)體 :SiC Schottky Diode (650 V, 10 A); PSC1065K
  • 國(guó)星光電:內(nèi)絕緣分立器件技術(shù)方案及其產(chǎn)品
  • 凌云光:第三代半導(dǎo)體化合物外延量測(cè)機(jī)臺(tái)
  • 安海半導(dǎo)體:ADQ120N016 和 AI3F02R12HPD
此,2023行家極光獎(jiǎng)已經(jīng)告一段落,但第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的故事仍在不斷續(xù)寫,讓我們明年再會(huì),共譜新章。

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