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2021 進(jìn)擊的國(guó)產(chǎn)碳化硅市場(chǎng)!

發(fā)布時(shí)間:2022-03-17作者來(lái)源:薩科微瀏覽:2074

半導(dǎo)體行業(yè)說(shuō)“一代材料、一代技術(shù)、一代產(chǎn)業(yè)”

半導(dǎo)體行業(yè),素有“一代材料、一代技術(shù)、一代產(chǎn)業(yè)”之說(shuō)。一代是硅,第二代是砷化鎵,而今天我們要研究的,是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。



氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC),被稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體雙雄,本文我們重點(diǎn)研究碳化硅(SiC)。

在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天,SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性,一直被視為“理想器件”而備受期待。


隨著5G、新能源汽車(chē)、光伏發(fā)電、航空航天等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展,產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)紛紛跑步入場(chǎng)。在巨大的潛在市場(chǎng)需求增長(zhǎng)、火熱的投資環(huán)境以及政策保障下,我國(guó)SIC產(chǎn)業(yè)已完成基本布局。

從應(yīng)用領(lǐng)域來(lái)看,新能源汽車(chē)是SiC器件[敏感詞]的應(yīng)用市場(chǎng),占比超過(guò)50%。未來(lái),中國(guó)將成為[敏感詞]的SiC市場(chǎng)。



當(dāng)[敏感詞]代、第二代半導(dǎo)體材料工藝逐漸接近物理極限,有望突破傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)瓶頸的第三代半導(dǎo)體材料成為行業(yè)發(fā)展的寵兒。


事實(shí)上,國(guó)內(nèi)之所以將半導(dǎo)體材料以“代”來(lái)劃分,多少緣自于隨著半導(dǎo)體材料的大規(guī)模應(yīng)用而來(lái)的三次產(chǎn)業(yè)革命。


[敏感詞]代半導(dǎo)體材料以硅(Si)為代表,其取代了笨重的電子管,推動(dòng)了以集成電路為核心的微電子產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展。


第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)等為主,磷化銦半導(dǎo)體激光器是光通信系統(tǒng)的關(guān)鍵器件,砷化鎵高速器件更開(kāi)拓了光纖及移動(dòng)通信新產(chǎn)業(yè)。


而以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料則有效推動(dòng)著新能源、光伏、電力汽車(chē)等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。


從半導(dǎo)體材料的三項(xiàng)重要參數(shù)看,第三代半導(dǎo)體材料在電子遷移率(低壓條件下的高頻工作性能)、飽和漂移速率(高壓條件下的高頻工作性能)、禁帶寬度(器件的耐壓性能、[敏感詞]工作溫度與光學(xué)性能)三項(xiàng)指標(biāo)上均強(qiáng)于硅材料器件。


其中,最引人注目的是第三代半導(dǎo)體的“寬禁帶(WideBand-Gap,WBG)”。高禁帶寬度的好處是,器件耐高壓、耐高溫,并且功率大、抗輻射、導(dǎo)電性能強(qiáng)、工作速度快、工作損耗低。


國(guó)內(nèi)SIC產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)大踏步向前的底氣與良機(jī)

01
市場(chǎng)潛力



我國(guó)作為全球[敏感詞]的新能源汽車(chē)市場(chǎng),隨著特斯拉等品牌開(kāi)始大量推進(jìn)SiC解決方案,國(guó)內(nèi)的廠(chǎng)商也快速跟進(jìn),以比亞迪為代表的整車(chē)廠(chǎng)商開(kāi)始全方位布局,推動(dòng)第三代半導(dǎo)體器件的在汽車(chē)領(lǐng)域加速。




從國(guó)家來(lái)看,中國(guó)是全球[敏感詞]的新能源汽車(chē)市場(chǎng),銷(xiāo)量遠(yuǎn)超其他所有國(guó)家,占據(jù)了全球40%以上的份額。從應(yīng)用領(lǐng)域來(lái)看,新能源汽車(chē)是SiC器件[敏感詞]的應(yīng)用市場(chǎng),占比超過(guò)50%。未來(lái),中國(guó)將成為[敏感詞]的SiC市場(chǎng)。


根據(jù)IHS的數(shù)據(jù)預(yù)估,今年的SiC(碳化硅)市場(chǎng)總額將會(huì)達(dá)到5000萬(wàn)美元,到2028年將飆升到1億6000萬(wàn)。其中在電動(dòng)汽車(chē)充電市場(chǎng),SiC在未來(lái)幾年的符合增長(zhǎng)率高達(dá)59%;在光伏和儲(chǔ)能市場(chǎng),SiC的年復(fù)合增長(zhǎng)率也有26%;而在電源部分,這個(gè)數(shù)字也有16%。整體年復(fù)合增長(zhǎng)率也高達(dá)16%。


02
政府促進(jìn)



政府扮演風(fēng)險(xiǎn)投資角色,參與投資建設(shè)大量SiC項(xiàng)目。



SiC項(xiàng)目大多為地方政府與企業(yè)合作投資建設(shè),地方政府投入相對(duì)更多,也一并承擔(dān)了更多的風(fēng)險(xiǎn)。


有別于傳統(tǒng)Si基項(xiàng)目集中于中國(guó)一二線(xiàn)城市,SiC項(xiàng)目遍布全國(guó)各地。


與Si基項(xiàng)目相比,SiC項(xiàng)目總體投資相對(duì)較低,且許多中小型城市政府急于提升城市形象,增加半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)布局。


地方政府具體參與的部分SiC項(xiàng)目匯總



03
資本涌入



資本熱情高漲,大量資金涌入SiC產(chǎn)業(yè)。


04
政策驅(qū)動(dòng)



中央及地方政府頒布了一系列政策推動(dòng)SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展。


國(guó)家十四五規(guī)劃21年公布的細(xì)則中
預(yù)期會(huì)加入重點(diǎn)支持第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的描述


另外,在《中國(guó)制造2025》中,國(guó)家對(duì)5G通信、高效能源管理中的國(guó)產(chǎn)化率也提出了具體目標(biāo),目標(biāo)要求到2025年,要使先進(jìn)半導(dǎo)體材料的國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到50%。這些利好的政策,對(duì)SiC市場(chǎng)的進(jìn)一步發(fā)展壯大助益良多。


魯晶半導(dǎo)體在參加2021年慕尼黑電子展的展會(huì)上,電視欄目組《品質(zhì)》也曾采訪(fǎng)公司總經(jīng)理徐文匯先生關(guān)于《中國(guó)制造2025》有關(guān)第三代半導(dǎo)體發(fā)展的看法,碳化硅功率器件的應(yīng)用將在未來(lái)3-5年大規(guī)模應(yīng)用,在某些領(lǐng)域甚至能全面替代硅基產(chǎn)品。


05
產(chǎn)業(yè)鏈完成基本布局




相對(duì)國(guó)外市場(chǎng),我國(guó)開(kāi)展SiC材料及器件方面的研究工作比較晚,在多方因素的推動(dòng)下,中國(guó)SiC產(chǎn)業(yè)鏈已完成基本布局,取得了一定的成果,逐步縮小了與國(guó)外先進(jìn)技術(shù)的差距,各個(gè)環(huán)節(jié)都涌現(xiàn)出幾家領(lǐng)先企業(yè)。


然而,從整個(gè)SiC市場(chǎng)格局來(lái)看,美、日、歐等外商仍是整個(gè)市場(chǎng)的主導(dǎo)者,國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商在該領(lǐng)域的話(huà)語(yǔ)權(quán)還不大。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示,Cree、英飛凌、羅姆約占據(jù)了90%的SiC市場(chǎng)份額,Cree是SiC襯底主要供應(yīng)商,羅姆、意法半導(dǎo)體等則擁有自己的SiC生產(chǎn)線(xiàn)等,其中Cree占據(jù)了一半以上的碳化硅晶片市場(chǎng),這種壟斷優(yōu)勢(shì)使其在產(chǎn)業(yè)上游的話(huà)語(yǔ)權(quán)非常之大。從這個(gè)角度看,國(guó)內(nèi)企業(yè)要走的路,相較國(guó)外現(xiàn)在的位置還有較大差距。


從產(chǎn)業(yè)鏈看國(guó)內(nèi)外競(jìng)爭(zhēng)的差距


01
襯底



襯底

技術(shù)指標(biāo)和國(guó)際廠(chǎng)商有明顯差距,產(chǎn)品的一致性問(wèn)題是難以攻克的短板。

在襯底最主要的三個(gè)幾何參數(shù)TTV(總厚度偏差),Bow(彎曲度),Wrap(翹曲度)方面。國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商與國(guó)外領(lǐng)先廠(chǎng)商之間存在明顯的差距。



國(guó)產(chǎn)襯底技術(shù)差距和一致性問(wèn)題產(chǎn)生的原因大致可以歸納為以下兩類(lèi):


  1. 在材料匹配、設(shè)備精度和熱場(chǎng)控制等技術(shù)角度需要長(zhǎng)時(shí)間的 Know-how累積。國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商起步相對(duì)較晚,投入更少,與國(guó)外領(lǐng)先廠(chǎng)商存在明顯的差距。

  2. 國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商的客戶(hù)較少且比較分散,客戶(hù)的反饋速度更慢,反饋內(nèi)容不徹底。CREE的產(chǎn)品線(xiàn)覆蓋襯底、外延、器件乃至模組,后端反饋充分且及時(shí)。


技術(shù)差距直接導(dǎo)致襯底綜合性能較差,無(wú)法用于要求更高的產(chǎn)線(xiàn)中。

一致性問(wèn)則表示優(yōu)質(zhì)襯底比例較低,直接導(dǎo)致襯底的成本大幅上升。

主要是因?yàn)橐陨蟽牲c(diǎn)影響,國(guó)產(chǎn)襯底目前還無(wú)法進(jìn)入主流供應(yīng)鏈。


02
外延



外延

技術(shù)壁壘較低,技術(shù)水平與國(guó)外整體差距不大


外延環(huán)節(jié)技術(shù)較為單一,主要過(guò)程為在原SiC襯底上生長(zhǎng)一層新單晶。是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中附加值和技術(shù)門(mén)檻較低的環(huán)節(jié)。


外延環(huán)節(jié)依賴(lài)成熟的設(shè)備(目前業(yè)界主流設(shè)備為Aixtron等公司提供的CVD設(shè)備),氣相沉積流程通過(guò)流量計(jì)嚴(yán)格控制,業(yè)界和設(shè)備商有相對(duì)成熟的技術(shù)。


以國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商瀚天天成為例,技術(shù)水平和國(guó)際外延領(lǐng)先企業(yè)日本昭和電工(Showa Denko)已經(jīng)相差不大。根據(jù)調(diào)研反饋,瀚天天成和昭和電工已在全球多個(gè)市場(chǎng)展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)。


03
器件



器件

技術(shù)指標(biāo)和國(guó)際廠(chǎng)商有明顯差距,產(chǎn)品的一致性問(wèn)題是難以攻克的短板,國(guó)產(chǎn)襯底目前仍難以進(jìn)入主流供應(yīng)鏈。



設(shè)計(jì):SiC器件設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單,與國(guó)外差距相對(duì)較小


  • SiC SBD器件設(shè)計(jì)在專(zhuān)利方面沒(méi)有壁壘,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先企業(yè)已開(kāi)始Gen 6 SiC SBD的研發(fā),與國(guó)外差距相對(duì)較小。

  • SiC MOSFET器件方面,國(guó)內(nèi)多家公司宣稱(chēng)已完成研發(fā),但仍未進(jìn)入量產(chǎn)狀態(tài)。同時(shí),[敏感詞]的Gen 4 Trench SiC MOSFET專(zhuān)利被國(guó)外公司掌握,未來(lái)可能存在專(zhuān)利方面的問(wèn)題。


制造:SiC器件制造與國(guó)外存在明顯的差距

  • SiC SBD器件制造產(chǎn)線(xiàn)大多處于剛通線(xiàn)的狀態(tài),還需經(jīng)歷產(chǎn)能爬坡等階段,離大規(guī)模穩(wěn)定量產(chǎn)還有一定距離。

  • 目前,國(guó)內(nèi)所有SiC MOSFET器件制造平臺(tái)仍在搭建中,部分公司的產(chǎn)線(xiàn)仍處于計(jì)劃階段,離正式量產(chǎn)還有很長(zhǎng)一段距離。

04
模塊



模塊

市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈,國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)整體成熟度仍較低。


SIC模塊國(guó)內(nèi)企業(yè)當(dāng)下的競(jìng)爭(zhēng)情況:


國(guó)內(nèi)眾多新能源汽車(chē)廠(chǎng)商布局激進(jìn),自建SiC模塊產(chǎn)線(xiàn),滿(mǎn)足自身需求,從上游端向下游覆蓋。與此同時(shí),傳統(tǒng)模塊廠(chǎng)商也有部分橫向展開(kāi)SiC模塊的研發(fā),憑借Si基模塊的經(jīng)驗(yàn)加快研發(fā)進(jìn)度。


但國(guó)內(nèi)新能源汽車(chē)廠(chǎng)商模塊產(chǎn)線(xiàn)的建設(shè)大多于19/20年啟動(dòng),至少22年才能放量。包括國(guó)內(nèi)新興的模塊廠(chǎng)商大多體量較小,尚未實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)的成熟度依然較低。


除國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商之間互相競(jìng)爭(zhēng)外,在SIC領(lǐng)域真正的競(jìng)爭(zhēng)壓力還是來(lái)自于國(guó)外的巨頭,目前英飛凌、ST、羅姆等國(guó)際大廠(chǎng)600-1700V碳化硅SBD、MOSFET均已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),國(guó)內(nèi)碳化硅廠(chǎng)商目前主要推出二極管產(chǎn)品,MOSFET只有極少數(shù)廠(chǎng)商量產(chǎn),還有待突破,產(chǎn)線(xiàn)方面Cree、英飛凌等已開(kāi)始布局8英寸線(xiàn),而國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商還在往6英寸線(xiàn)過(guò)渡。襯底市場(chǎng)僅Cree一家便占據(jù)了約40%份額。


未來(lái)很長(zhǎng)一段時(shí)間里,國(guó)內(nèi)SIC產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)的進(jìn)擊之路。仍道阻且長(zhǎng)!但好在SiC在5G、新能源汽車(chē)、光伏等各個(gè)領(lǐng)域的表現(xiàn)都[敏感詞],市場(chǎng)足夠大,且國(guó)產(chǎn)替代需求持續(xù),國(guó)內(nèi)企業(yè)尚可一拼!


目前國(guó)內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)布局情況

01
SiC襯底



山東天岳、天科合達(dá)、中科節(jié)能、同光晶體


02
外延片生產(chǎn)



瀚天天成、東莞天域

03
SiC器件、模組生產(chǎn)企業(yè)



三安集成、泰科天潤(rùn)、瞻芯電子、基本半導(dǎo)體、濟(jì)南魯晶半導(dǎo)體等。


魯晶半導(dǎo)體成立于2010年,十余年來(lái)一直專(zhuān)注于硅基半導(dǎo)體二三極管MOS管的生產(chǎn)、銷(xiāo)售、研發(fā),在業(yè)內(nèi)享有口碑。2016年以來(lái),根據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求,積極布局第三代半導(dǎo)體器件的研發(fā)、封測(cè)和應(yīng)用。著力加大科研投入、培養(yǎng)人才隊(duì)伍來(lái)構(gòu)筑全新的技術(shù)創(chuàng)新體系。提升企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力、充實(shí)企業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的后勁,為企業(yè)可持續(xù)發(fā)展提供強(qiáng)有力的技術(shù)支撐。



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