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老虎說芯
老虎說芯
“老虎說芯”由北京大學(xué)微電子專業(yè)本碩,中國電源學(xué)會會員、在半導(dǎo)體行業(yè)有10多年經(jīng)驗的胡獨巍先生撰寫,為大家提供半導(dǎo)體行業(yè)關(guān)于材料、工藝、應(yīng)用、市場、資訊等方面的內(nèi)容。在知乎有同名賬號。
電子元器件的下一站是出海?
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數(shù): 1001
謝謝9位大佬從廣州、深圳趕來東莞松山湖交流,同時也參加了阿里的電子元件出海培訓(xùn),分享一下紀要: 1、中低端電子產(chǎn)業(yè)向東南亞等轉(zhuǎn)移的趨勢 歐美→日本、韓國和中國臺灣→中國大陸→東南亞等。最近5年,由于東南亞具備人口紅利、勞動力成本、巨大的需求等優(yōu)勢,中低端的電子產(chǎn)業(yè)逐漸從中國大陸轉(zhuǎn)移到越南等東南亞國家。下面以……
深圳有哪些芯片設(shè)計公司?
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數(shù): 1066
截至2022年底,深圳合計有587家IC企業(yè),其中IC設(shè)計企業(yè)390家,晶圓制造企業(yè)7家,封測企業(yè)70家,設(shè)備企業(yè)79家,材料企業(yè)為41家,主要集中在南山和龍崗等。2022年深圳國產(chǎn)IC設(shè)計企業(yè)產(chǎn)值約724億元,僅次于上海1350億元、北京846億元。 圖:IC設(shè)計行業(yè)產(chǎn)值城市排名,來自清華魏少軍老師 ……
MOS管的核心參數(shù)解析(導(dǎo)通電阻與柵極電荷)
  • 更新日期: 2024-09-19
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功率管的最主要的應(yīng)用是控制電流的通斷,即在一定的電壓條件下對流經(jīng)器件的電流進行開關(guān)控制。首先,在可以承受的擊穿電壓的前提下(即器件的工作電壓平臺),器件導(dǎo)通電阻越低,其導(dǎo)通損耗就越低。其次,器件在開關(guān)狀態(tài)間切換時,柵極電荷越小,器件的開關(guān)速度就越快,其動態(tài)損耗就越低。 圖:MOS管結(jié)構(gòu) 對于功率MO……
半導(dǎo)體設(shè)備有哪些卡脖子的核心零部件?
  • 更新日期: 2024-09-19
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薄膜沉積是芯片制造的核心工藝環(huán)節(jié)。薄膜沉積技術(shù)是以各類適當(dāng)化學(xué)反應(yīng)源在外加能量(包括熱、光、等離子體等)的驅(qū)動下激活,將由此形成的原子、離子、活性反應(yīng)基團等在襯底表面進行吸附,并在適當(dāng)?shù)奈恢冒l(fā)生化學(xué)反應(yīng)或聚結(jié),漸漸形成幾納米至幾微米不等厚度的金屬、介質(zhì)、或半導(dǎo)體材料薄膜。芯片是微型結(jié)構(gòu)體,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)是3D立體式形態(tài),襯……
CMP:半導(dǎo)體制造工藝的平滑藝術(shù)
  • 更新日期: 2024-09-19
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1、CMP工藝簡介 CMP(Chemical Mechanical Polishing)化學(xué)機械拋光,是一個將晶圓表面打磨得光滑平整的過程。想象您在打磨一塊寶石,除了手工的磨削,您還往上滴幾滴特制的藥劑,使其快變得光滑,這就是CMP工藝的縮影,它通過化學(xué)反應(yīng)和機械力的配合,將晶圓表磨削到所需的平整度。 ……
MOS管參數(shù)解析及國內(nèi)外大廠技術(shù)對比
  • 更新日期: 2024-09-19
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MOSFET的單位面積導(dǎo)通電阻和優(yōu)值系數(shù)(FOM)參數(shù)代表了MOSFET的性能,是各大MOSFET廠商產(chǎn)品參數(shù)展示的關(guān)鍵指標,也是體現(xiàn)MOSFET芯片制造工藝核心技術(shù)能力的關(guān)鍵指標。 通常來說,MOS管的單位面積導(dǎo)通電阻值和優(yōu)值系數(shù)值越低表示其性能越好。而超低壓MOSFET不關(guān)注優(yōu)值系數(shù),單位面積導(dǎo)通電阻值和漏極擊穿電壓之間存在取舍關(guān)系,因此對于超低壓MOSFET選取單位面積導(dǎo)通電阻值和漏極擊穿電壓作為比較指標。 單位面積導(dǎo)通電阻(Ronsp),主要用于衡量功率器件導(dǎo)通狀態(tài)下,
第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底分類、技術(shù)指標、生長工藝、產(chǎn)業(yè)鏈、下游應(yīng)用等解析
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數(shù): 1417
1、第三代半導(dǎo)體特性 (1)碳化硅 根據(jù)《中國戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè):新材料(第三代半導(dǎo)體材料)》,與硅相比,碳化硅擁有更為優(yōu)越的電氣特性: ①耐高壓:擊穿電場強度大,是硅的10倍,用碳化硅制備器件可以極大地提高耐壓容量、工作頻率和電流密度,并大大降低器件的導(dǎo)通損耗。 ②耐高溫:半導(dǎo)體器件在較高的溫度下……
瀾起科技:存儲接口芯片、發(fā)展歷程
  • 更新日期: 2024-09-19
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瀾起科技:成立于2004年,2019年上市,擁有互連類芯片和津逮?服務(wù)器平臺兩大產(chǎn)品線。瀾起科技是國際領(lǐng)先的數(shù)據(jù)處理及互連芯片設(shè)計公司。 行業(yè)地位:瀾起科技的內(nèi)存接口芯片作為連接CPU和內(nèi)存的“高速公路”,是服務(wù)器內(nèi)存模組的必配芯片,已成功進入國際主流內(nèi)存、服務(wù)器和云計算領(lǐng)域,產(chǎn)品性能和質(zhì)量受到市場及行業(yè)……
CMOS圖像傳感器(CIS)分類及特點
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數(shù): 991
CMOS圖像傳感器根據(jù)感光元件安裝位置,主要可分為前照式結(jié)構(gòu)(FSI)背照式結(jié)構(gòu)(BSI)。 在背照式結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,還可以進一步改良成堆棧式結(jié)構(gòu)(Stacked)。堆棧式結(jié)構(gòu)系在背照式結(jié)構(gòu)將感光層僅保留感光元件的部分邏輯電路的基礎(chǔ)上進行進一步改良,在上層僅保留感光元件而將所有線路層移至感光元件的下層,再將兩層芯片疊在一起,芯片的整體面積被極大地縮減。此外,感光元件周圍的邏輯電路也相應(yīng)移至底層,可有效抑制電路噪聲從而獲取更優(yōu)質(zhì)的感光效果。 采用堆棧式結(jié)構(gòu)的CMOS圖像傳感器可在同
功率半導(dǎo)體中超結(jié)MOS管基礎(chǔ)知識
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數(shù): 1227
1. 背景知識 在我們進入超結(jié)MOSFET的細節(jié)之前,我們先了解一些背景知識。 MOSFET,全稱金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor),是一種非常重要的電子元件,廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。它的基本作用是作為一個開關(guān),……
固態(tài)硬盤(SSD)主控芯片簡析
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數(shù): 1291
固態(tài)硬盤組成主要包括主控芯片、NAND 閃存顆粒。其中主控芯片是固態(tài)硬盤的核心器件,負責(zé)與整機CPU進行數(shù)據(jù)通信以及NAND 閃存顆粒數(shù)據(jù)管理,廣泛應(yīng)用于消費電子、服務(wù)器、工業(yè)控制等領(lǐng)域。 固態(tài)硬盤主控芯片與其配套固件(FW)一起,實現(xiàn)對固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)管理、NAND壞塊管理、NAND數(shù)據(jù)糾錯、NAND壽命均衡、垃圾……
紅外線及紅外成像儀原理介紹
  • 更新日期: 2024-09-19
  • 瀏覽次數(shù): 1081
1、紅外線及紅外成像的概念 光在本質(zhì)上屬于電磁波,根據(jù)波長不同可以分為無線電波、微波、紅外線、可見光、紫外線、X 射線、γ 射線等類型。受人眼自然構(gòu)造形成的視覺性能限制,人類只能對波長在 0.76-0.38 微米波譜段的輻射進行感知,無法通過直接觀察的方式獲取紅外線成像信息。 光電成像技術(shù)是通過光學(xué)……

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