靜態(tài)時(shí)序分析（Static Timing Analysis，STA）是集成電路設(shè)計(jì)中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，它通過分析電路中的時(shí)序關(guān)系來驗(yàn)證電路是否滿足設(shè)計(jì)的時(shí)序要求。與動(dòng)態(tài)仿真不同，STA不需要模擬電路的實(shí)際運(yùn)行過程，而是通過分析電路中的各個(gè)時(shí)鐘路徑、信號傳播延遲等信息來評估設(shè)計(jì)是否符合時(shí)序要求。 1. 靜態(tài)時(shí)序分析的……

中芯國際2024年業(yè)績復(fù)盤與2025年技術(shù)布局展望 一、2024年核心業(yè)績：產(chǎn)能擴(kuò)張與結(jié)構(gòu)優(yōu)化驅(qū)動(dòng)營收創(chuàng)新高2024年中芯國際營收首次突破80億美元（同比+27%），其中12英寸晶圓收入占比提升至77%，成為增長核心引擎。盡管全年毛利率受折舊壓力同比下滑1.3pct至18%，但Q4單季毛利率逆勢攀升至22.6%，……

在現(xiàn)代芯片設(shè)計(jì)中，電路設(shè)計(jì)和算法實(shí)現(xiàn)早已密不可分。簡單來說，芯片不僅僅是由門電路和觸發(fā)器組成的邏輯結(jié)構(gòu)，更承載著各種復(fù)雜功能——例如通信調(diào)制解調(diào)、信號處理、圖像和視頻編碼解碼等，這些都依賴于高層次的數(shù)學(xué)和算法知識。 跨學(xué)科能力的補(bǔ)充傳統(tǒng)的數(shù)字電路工程師擅長處理時(shí)序、功耗、面……

一、RTL 的基本定義 RTL（寄存器傳輸級）是數(shù)字電路設(shè)計(jì)中對硬件功能進(jìn)行抽象描述的一種層次。它的“主角”是寄存器和寄存器之間的數(shù)據(jù)通路，即在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)，信號會從寄存器輸出，經(jīng)過組合邏輯運(yùn)算，最后進(jìn)入下一級寄存器。 為什么叫“寄存器傳輸級” “寄存器”代表……

一、引子 最近拜讀了《DeepSeek-R1: Incentivizing Reasoning Capability in LLMs viaReinforcement Learning》，該論文討論了DeepSeek-R1模型，該模型旨在通過強(qiáng)化學(xué)習(xí)（RL）提升大語言模型（LLM）的推理能力。 二、……

在半導(dǎo)體制造過程中，使用了多種化學(xué)物質(zhì)，這些物質(zhì)對人體健康有潛在的危害。 1. Acetone（丙酮） 危害：丙酮在中等至高濃度下會導(dǎo)致鼻、喉、肺和眼睛的刺激、混亂，甚至昏迷。大量攝入時(shí)可能導(dǎo)致意識喪失、口腔皮膚損傷。長期接觸可能導(dǎo)致腎臟、肝臟和神經(jīng)損害，并增加出生缺……

在半導(dǎo)體制造或相關(guān)工業(yè)領(lǐng)域中，Inline 和 Offline 是用來描述設(shè)備或流程是否處于生產(chǎn)系統(tǒng)中的兩個(gè)重要術(shù)語。這些術(shù)語通常用于指代工藝設(shè)備、任務(wù)管理和生產(chǎn)流程的狀態(tài)。 1. Inline Inline 是指某項(xiàng)設(shè)備、工藝或者任務(wù)直接集成到生產(chǎn)系統(tǒng)中，實(shí)時(shí)執(zhí)行和受控于生產(chǎn)系統(tǒng)（如制造執(zhí)行系統(tǒng)，MES）……

MO（Mistake Operation） 是指在集成電路制造過程中，由于人為操作失誤導(dǎo)致的錯(cuò)誤。這類錯(cuò)誤可能發(fā)生在生產(chǎn)工藝的多個(gè)環(huán)節(jié)中，例如設(shè)備操作、數(shù)據(jù)輸入、工藝參數(shù)設(shè)置或產(chǎn)品檢查等。MO 通常不屬于設(shè)備本身的故障，而是因?yàn)槿藶槭韬龌蝈e(cuò)誤判斷而引發(fā)的問題。 MO 的特點(diǎn) 人為因素主導(dǎo)： MO 的發(fā)生主要源于操作人員的失誤，如沒有正確按照操作流程執(zhí)行，

CPK（Process Capability Index） 是制程能力的關(guān)鍵指標(biāo)，用于評估工藝過程能否穩(wěn)定生產(chǎn)出符合規(guī)格范圍的產(chǎn)品。它通過統(tǒng)計(jì)分析實(shí)際數(shù)據(jù)來衡量制程的中心位置與規(guī)格目標(biāo)的偏離程度，同時(shí)考慮過程的變異情況。換句話說，CPK反映了制程滿足設(shè)計(jì)要求的能力，以及制程的性能穩(wěn)定。 CPK 的計(jì)算公式如下： C P

DeepSeek模型，尤其是其基于MOE（混合專家）架構(gòu)的DeepSeek-V3，對芯片算力的要求產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響。為了更好地理解這一影響，我們可以從幾個(gè)方面進(jìn)行分析。 1.MOE架構(gòu)對算力的優(yōu)化 MOE架構(gòu)的核心理念是將整個(gè)模型劃分為多個(gè)子模型（專家），每個(gè)子模型負(fù)責(zé)特定的任務(wù)，且在實(shí)際推理時(shí)并非激活所有專家，而是根據(jù)輸入數(shù)據(jù)選擇性激活需要的專家。對于芯片算力的影響主要體現(xiàn)在以下幾點(diǎn)：

可以將FE比作是一個(gè)“戰(zhàn)地指揮官”，他們直接面對現(xiàn)場的挑戰(zhàn)，帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)解決問題。在工廠或生產(chǎn)現(xiàn)場，F(xiàn)E就像是“設(shè)備的醫(yī)生”，時(shí)刻關(guān)注設(shè)備的健康狀況，及時(shí)為設(shè)備“治療”，確保生產(chǎn)的順利進(jìn)行。FE的職責(zé)不僅僅是“修理”問題，還包括“預(yù)防”問題，通過現(xiàn)場的分析與優(yōu)化，減少設(shè)備故障和生產(chǎn)停滯的風(fēng)險(xiǎn)。 1. 定義和角色定位 ……

邊緣芯片（edge die）是指位于晶圓邊緣區(qū)域的芯片，由于晶圓制造過程中的掩模對準(zhǔn)誤差或晶圓切割等原因，這些芯片可能在設(shè)計(jì)上存在缺陷或尺寸不完整。以下是對邊緣芯片的詳細(xì)解釋： 1. 邊緣芯片的形成原因 晶圓制造過程中，光刻、沉積、刻蝕等工藝的作用通常會集中在晶圓的中心區(qū)域，因?yàn)檫@些區(qū)域的對準(zhǔn)精度更高、工藝……