法布里-珀羅型LD是由n/p包層、夾在包層之間的有源層(發(fā)光層) 和2片鏡片端面構(gòu)成。

激光二極管充分利用直進(jìn)性、微小光斑尺寸 (數(shù)um～)、單色性、高光密度、相干性 (coherent) 這些特點(diǎn)，被用在各種應(yīng)用上面。

晶體管的主要功能是放大和開關(guān)電信號。它在現(xiàn)代電子設(shè)備中起著至關(guān)重要的作用，例如在收音機(jī)中，晶體管能夠放大從空中傳輸過來的微弱信號，然后通過揚(yáng)聲器播放出來，這就是晶體管的放大功能。

柵極-源極電壓產(chǎn)生的浪涌是指在功率半導(dǎo)體器件（如MOSFET和IGBT）工作時(shí)，由于電壓和電流的變化導(dǎo)致柵極和源極之間出現(xiàn)的意外、瞬時(shí)的電壓波動現(xiàn)象。這種現(xiàn)象通常會在開關(guān)操作時(shí)出現(xiàn)，特別是在高速開關(guān)過程中更為顯著。

LS MOSFET關(guān)斷時(shí)的電流動作的等效電路和波形示意圖。與導(dǎo)通時(shí)的做法一樣，為各事件進(jìn)行了。與導(dǎo)通時(shí)相比，只是VDS和ID變化的順序發(fā)生了改變，其他基本動作是一樣的。與導(dǎo)通時(shí)的事件之間的對應(yīng)關(guān)系：

當(dāng)SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，首先ID會發(fā)生變化。在這個(gè)過程中，LS的ID沿增加方向流動，而HS的ID沿減少方向流動，受到等效電路圖中表示的事件影響，產(chǎn)生了電動勢。這個(gè)電動勢會導(dǎo)致電流流向源極側(cè)對CGS進(jìn)行充電，在LS處將VGS向下推，在HS處將VGS向負(fù)極側(cè)拉，產(chǎn)生負(fù)浪涌。

dVDS/dt和dID/dt既可以為正也可以為負(fù)，因此它們產(chǎn)生的電流和電壓在導(dǎo)通（Turn-on）和關(guān)斷（Turn-off）時(shí)的極性是不同的。

LS（低側(cè)）側(cè)SiC MOSFET在Turn-on和Turn-off時(shí)的VDS和ID變化方式不同。在討論SiC MOSFET的這種變化對Gate-Source電壓（VGS）的影響時(shí)，需要考慮包括SiC MOSFET的柵極驅(qū)動電路在內(nèi)的等效電路。

SiC MOSFET構(gòu)建的同步式升壓電路中最簡單的橋式結(jié)構(gòu)。

SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，具有以下區(qū)別： 驅(qū)動電壓 由于SiC-MOSFET的漂移層電阻低、通道電阻高的特性，其驅(qū)動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高時(shí)，導(dǎo)通電阻越低。SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻從Vgs約為20V開始變化（下降）并逐漸減小，接近最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驅(qū)動電壓為Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建議在Vgs=18V左右驅(qū)動，以充分獲得低導(dǎo)通電阻。換句話說，兩者之間的區(qū)別之一是SiC-MOSFET的驅(qū)動電壓要比S

相對于IGBT，SiC-MOSFET在開關(guān)關(guān)斷時(shí)降低了損耗，實(shí)現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。

SiC肖特基勢壘二極管為了形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。這種結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征是具備高速特性。