临时劫案在线观看国语高清免费,av免费亚洲,国产一级久久大片,国产精品一区影院

/ EN
13922884048

資訊中心

information centre
/
蘋果向第三方開放NFC支付芯片并收取費用(薩科微8月19日每日芯聞)
  • 更新日期: 2024-08-19
  • 瀏覽次數(shù): 1030
開發(fā)者需要與蘋果公司簽訂一份商業(yè)協(xié)議,申請NFC和SE授權(quán),并支付相關(guān)費用。
泰凌微電子:公司芯片全球出貨量突破20億顆(薩科微8月16日每日芯聞)
  • 更新日期: 2024-08-17
  • 瀏覽次數(shù): 1077
泰凌微電子近期迎來了一個令人矚目的里程碑--公司芯片的全球累計出貨量突破20億顆。
全球芯片之城,中國上海和北京實至名歸?。ㄋ_科微8月17日芯聞)
  • 更新日期: 2024-08-17
  • 瀏覽次數(shù): 1335
《2023年全球集成電路產(chǎn)業(yè)綜合競爭力百強城市白皮書》公布,中國上海和北京分別以第5名和第9名的成績躋身前十。
先進(jìn)封裝技術(shù)CoWoS分享紀(jì)要
  • 更新日期: 2024-08-16
  • 瀏覽次數(shù): 1767
臺積電的CoWoS(Chip On Wafer On Substrate)技術(shù)是一種先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝技術(shù),旨在提升集成電路的性能、減小封裝尺寸,并有效降低功耗。CoWoS技術(shù)通過在一個硅中介層(Interposer)上集成多個芯片(或芯片組),形成一個高性能的封裝解決方案。該技術(shù)主要應(yīng)用于需要高帶寬和低延遲的高性能計算……
Semicon半導(dǎo)體工藝:干法刻蝕與濕法刻蝕的區(qū)別和特點
  • 更新日期: 2024-08-16
  • 瀏覽次數(shù): 2062
半導(dǎo)體制造工藝中的刻蝕是利用物理和(/或)化學(xué)方法有選擇性地從晶圓表面去除不必要材料的過程??涛g工藝通常位于光刻工藝之后,利用刻蝕工藝對定義圖形的光阻層侵蝕少而對目標(biāo)材料侵蝕大的特點,從而完成圖形轉(zhuǎn)移的工藝步驟。刻蝕工藝主要分為干法和濕法兩種。
3納米制程芯片為什么需要EUV光刻機和多重曝光技術(shù)?
  • 更新日期: 2024-08-16
  • 瀏覽次數(shù): 1666
晶圓制造工藝是一個非常復(fù)雜的過程,特別是在3納米制程中,挑戰(zhàn)會更加顯著。讓我們一步步來理解EUV(極紫外光刻)多重圖案(Multi-Patterning)技術(shù)在實現(xiàn)圖案分辨率時所面臨的挑戰(zhàn)。
晶圓制造中的“鳥喙效應(yīng)”(bird beak)
  • 更新日期: 2024-08-16
  • 瀏覽次數(shù): 1772
集成電路采用LOCOS(Local Oxidation of Silicon)工藝時會出現(xiàn)“鳥喙效應(yīng)”(bird beak),這是一種在氧化硅生長過程中,由于氧化物側(cè)向擴展引起的現(xiàn)象。
金航標(biāo)/薩科微每周之星李少帥
  • 更新日期: 2024-08-16
  • 瀏覽次數(shù): 1170
2024年08月12日到2024年08月07日,金航標(biāo)(www.kinghelm.net)/薩科微(www.slkoric.com)“每周之星”經(jīng)過同事們評比,這周“每周之星”是金航標(biāo)銷售經(jīng)理李少帥,在最近工作中,工作態(tài)度踏實上進(jìn),業(yè)績突飛猛進(jìn),以完成公司業(yè)績?yōu)槟繕?biāo)導(dǎo)向的工作精神,獲得公司總部領(lǐng)導(dǎo)和同事的一致好評,現(xiàn)予……
2024元器件分銷產(chǎn)業(yè)經(jīng)理人峰會在深圳圓滿落幕
  • 更新日期: 2024-08-15
  • 瀏覽次數(shù): 1950
?2024年8月10日,由芯同樂主辦,芯之元、璞勵咨詢、龍維商軟共同協(xié)辦的2024元器件分銷產(chǎn)業(yè)經(jīng)理人峰會在深圳華強北廣場酒店圓滿落幕。
努力追趕三十年,中國CPU芯片登上牌桌
  • 更新日期: 2024-08-15
  • 瀏覽次數(shù): 1866
長久以來,當(dāng)人們談?wù)撈餋PU,一般只會有英特爾和AMD兩個答案。面對兩大巨頭對于CPU領(lǐng)域的壟斷,蘋果公司有別的想法。2010年,喬布斯向世人宣告了Apple A4 Chip,可惜的是,這款芯片沒能撐起喬布斯當(dāng)時的期待。直到2020年末,蘋果推出M 1系列芯片,震動業(yè)界,收獲頗多贊譽。
第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底分類、技術(shù)指標(biāo)、生長工藝、產(chǎn)業(yè)鏈、下游應(yīng)用等解析
  • 更新日期: 2024-08-15
  • 瀏覽次數(shù): 1972
根據(jù)《中國戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè):新材料(第三代半導(dǎo)體材料)》,與硅相比,碳化硅擁有更為優(yōu)越的電氣特性:
晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的原因
  • 更新日期: 2024-08-15
  • 瀏覽次數(shù): 1680
在集成電路生產(chǎn)過程中,晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕現(xiàn)象是一個常見但復(fù)雜的問題。每個環(huán)節(jié)都有可能成為晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的誘因,因此需要在生產(chǎn)中嚴(yán)格控制每個工藝參數(shù),尤其是對邊緣區(qū)域的處理,以減少這種現(xiàn)象的發(fā)生。

服務(wù)熱線

0755-83044319

霍爾元件咨詢

肖特基二極管咨詢

TVS/ESD咨詢

獲取產(chǎn)品資料

客服微信

微信客服號