何為SiC功率模塊？隨著近年來(lái)，對(duì)半導(dǎo)體材料的要求及性能的不斷提高，單個(gè)功率器件已無(wú)法完全滿足需求，于是就有了功率模塊的出現(xiàn)，SiC功率模塊則是為了滿足對(duì)材料要求更高的電子電路所設(shè)計(jì)的，接下來(lái)跟隨薩科微小編詳細(xì)了解一下。

1. SiC功率模塊的電路構(gòu)成

現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型的模塊。
分為由SiC MOSFET + SiC SBD構(gòu)成的類型和只由SiC MOSFET構(gòu)成的類型兩種，可根據(jù)用途進(jìn)行選擇。

2. SiC模塊的特征

大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊，
由IGBT的尾電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開關(guān)損耗，通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：

1. 開關(guān)損耗的降低，可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化
   （例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化）

2. 工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化
   （例：電抗器或電容等的小型化）

主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。

SiC功率模塊至產(chǎn)品詳細(xì)網(wǎng)頁(yè)