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所謂的激光二極管是什么?

發(fā)布時間:2023-01-31作者來源:薩科微瀏覽:2378

半導體激光二極管的基本結構:垂直于PN結面的一對平行平面構成法布里——珀羅諧振腔,它們可以是半導體晶體的解理面,也可以是經(jīng)過拋光的平面。其余兩側面則相對粗糙,用以消除主方向外其它方向的激光作用。

激光二極管(Laser Diode) 的LASER是取"Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation(基于受激發(fā)射的光放大)"的首字母組成的縮寫單詞,激光二極管也被稱為半導體激光器,通常簡稱為LD。

激光二極管包括單異質(zhì)結(SH)、雙異質(zhì)結(DH)和量子阱(QW)激光二極管。量子阱激光二極管具有閾值電流低,輸出功率高的優(yōu)點,是市場應用的主流產(chǎn)品。同激光器相比,激光二極管具有效率高、體積小、壽命長的優(yōu)點,但其輸出功率?。ㄒ话阈∮?mW),線性差、單色性不太好,使其在有線電視系統(tǒng)中的應用受到很大限制,不能傳輸多頻道,高性能模擬信號。在雙向光接收機的回傳模塊中,上行發(fā)射一般都采用量子阱激光二極管作為光源。

由于可產(chǎn)生波長及相位等性質(zhì)完全一樣的光,因此相干性高(coherent)是其[敏感詞]特點。

利用注入電流產(chǎn)生的光在2片鏡片之間往返放大,直至激光振蕩。簡單的說,激光二極管也可以說成是一個通過反射鏡將光放大的發(fā)光LED。

【激光二極管的發(fā)光示意圖】

激光二極管光的反饋環(huán)

作為元件材料,使用AlGaAs、InGaAlP、InGaN、ZnO等化合物半導體,由于LSI及Tr、Di等使用的Si躍遷概率(電流轉(zhuǎn)變?yōu)楣獾母怕剩┹^差,因此不適用于激光二極管。

激光二極管和LED的區(qū)別

將激光二極管和LED的區(qū)別匯總在了下表中。
由于激光二極管的譜寬是狹窄單一的波長、相位整齊、指向性高的光,因此具備容易控制能量的特征。

激光二極管和LED的區(qū)別

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