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0755-83044319
類型:N溝道
漏源電壓(Vdss):30V
連續(xù)漏極電流(Id):160A
導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6mΩ@10V,20A
閾值電壓(Vgs(th)@Id):1.6V@250μA
產(chǎn)品介紹:低壓高電流MOS管SL160N03Q
一、產(chǎn)品概述
薩科微slkor低壓MOS管SL160N03Q是一款專為高性能電力轉(zhuǎn)換、電源管理及高效能電機驅(qū)動等領(lǐng)域設(shè)計的N溝道低壓MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該產(chǎn)品以其卓越的電氣性能和緊湊的封裝設(shè)計,在要求高效率、低損耗的應用場景中展現(xiàn)出強大的競爭力。其高達30V的漏源電壓(Vdss)與160A的連續(xù)漏極電流(Id)能力,使得SL160N03Q成為處理大電流負載的理想選擇。
二、產(chǎn)品特性
高電流承載能力:SL160N03Q能夠提供高達160A的連續(xù)漏極電流,滿足大功率電子設(shè)備對電流需求的嚴苛要求。
低導通電阻:在10V柵源電壓(Vgs)和20A漏極電流(Id)條件下,其導通電阻(RDS(on))僅為1.6mΩ,有效降低功率損耗,提升系統(tǒng)效率。
低閾值電壓:僅需1.6V的柵源電壓即可開啟,使電路設(shè)計更加靈活,且有助于在低功耗應用中減少靜態(tài)功耗。
快速開關(guān)特性:優(yōu)異的開關(guān)速度減少了開關(guān)過程中的能量損失,進一步提升系統(tǒng)響應速度和效率。
穩(wěn)定可靠:采用先進的半導體工藝制造,確保在高溫、高濕等惡劣環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。
三、產(chǎn)品優(yōu)勢
高效節(jié)能:低導通電阻直接減少電能轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗,提升整體能效。
體積小巧:緊湊的封裝設(shè)計便于系統(tǒng)集成,節(jié)省PCB空間,降低整體設(shè)計成本。
廣泛適用性:適用于多種電源管理、逆變器、直流電機驅(qū)動等需要高效大電流處理的場景。
高可靠性:經(jīng)過嚴格的質(zhì)量控制和可靠性測試,確保長期穩(wěn)定運行。
四、應用領(lǐng)域
新能源汽車:應用于電機控制器、電池管理系統(tǒng)等,助力電動汽車提高能效和續(xù)航里程。
工業(yè)自動化:在伺服驅(qū)動器、變頻器、電力電子設(shè)備等中,提供穩(wěn)定高效的電流控制。
消費電子:包括高性能筆記本電腦、游戲主機的電源管理系統(tǒng),以及快充設(shè)備等。
可再生能源:如太陽能逆變器、風力發(fā)電轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等,提高能源轉(zhuǎn)換效率。
五、注意事項
熱管理:使用時需注意散熱設(shè)計,確保器件工作在額定溫度范圍內(nèi),避免過熱損壞。
電路布局:合理的PCB布局和布線可以減少寄生電感,降低開關(guān)過程中的電壓尖峰,提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。
電壓與電流限制:避免超過規(guī)定的漏源電壓(Vdss)和連續(xù)漏極電流(Id)限制,以免損壞器件。
靜電防護:處理MOSFET時需采取靜電防護措施,防止靜電放電損壞器件。
存儲與運輸:存放于干燥、陰涼處,避免潮濕和[敏感詞]溫度變化,運輸過程中應注意防震防摔。
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